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正式队员neutdthq
2019-1-25 19:07:16 显示全部楼层
1、  超级电容要在备赛的哪个阶段去做呢?最应该避免犯的错误是什么呢?
a)      超级电容最好从备赛开始时就开始设计,并且在第一代机器人投入测试前就应该具有较为完备的功能,这是为了有足够的时间验证方案的稳定性,和对超级电容的性能的进行改善。
b)     最应该避免放的错误(没有之一):千万不要把电容组极性接错(电解电容的话我相信你会毕生难忘的,毕竟这么大的电容,爆炸也很有排面是吧。)
c)      此外,电容组一定要设计过充保护,事关安全。。
d)     硬件设计时一定要认真阅读器件手册,不要全照搬照抄典型应用。。

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正式队员neutdthq
2019-1-25 19:09:22 显示全部楼层
5、        一般做超级电容有什么工作流程?(包括需求分析、元器件选型等内容)
一、        需求分析
功能需求:
1、        限制输入功率,超级电容在没电时对直流的阻抗很小,这就意味着一开始给电容的充电功率会非常大,需要增加一些额外的硬件来限制输入功率,以避免机器人在一上电时因为给超级电容充电而导致超功率暴毙。。。。
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正式队员neutdthq
2019-1-25 19:10:19 显示全部楼层
2、        需要稳压输出,随着超级电容的放电,电容组电压会大幅度下降,如果直接把电容组电压供给底盘,轻则造成底盘电机效率降低,特性变软,影响底盘控制;重则导致电调欠压重启,造成致命问题。。
3、        能存储足够多的能量,一方面这涉及到电容组的选型,和机械尺寸,重量的限制,需要在设计时综合机器人的实际情况考虑,另一方面涉及到超级电容的方案中是否对电容电压进行升压,这直接关系到你能使用你电容组总容量的多少。
4、        功率路径的管理和切换:一般情况下电容迟早会没电,电容充电需要时间,而赛场上没有人会给你时间回复自己的电容能量。这就需要能够控制什么时候用电容作为底盘电源,什么时候用裁判系统输出作为底盘电源。而对于这个问题,我粗略的把它划分为主动式功率路径管理和被动式功率路径管理,他们的区别会在之后提到。
5、        当裁判系统切断底盘供电,不论超级电容有电与否,超级电容模块必须停止底 盘供电。
6、        底盘输出功率不足80W时,剩余功率对超级电容充电,并且当底盘功率大于80W且超级电容有电时,输入功率恒定为80W左右。。
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正式队员neutdthq
2019-1-25 19:11:56 显示全部楼层
性能需求:
1、        稳定,啥都不用说了,这是重中之重。比赛功率出问题了,设计者是要谢罪的!!!(玩笑归玩笑,但后果非常严重,平时测试绝对不能凑合,不行就是不行!!)
2、        超级电容自身损耗小,这之中有MOS的开关损耗(buck和boost)、传导损耗(Powerpath管理),功率二极管的损耗(视具体方案而定,如果你的功率路径上串联有大功率二极管的话,需要考虑),电容组冲放电的损耗,和控制电路正常工作消耗掉的功率。
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正式队员neutdthq
2019-1-25 19:14:15 显示全部楼层
一、结构框图:
我给出一个超级电容的结构框图,比较简单,省略了一万个可能遇到现实问题,重在帮助大家理清思路,明确各部分存在的意义,其中各个黄色模块会分开详细叙述。

                               
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正式队员neutdthq
2019-1-25 19:15:11 显示全部楼层
1、        输入功率(输出功率)的检测:采集输入电压和输入电流得到,输入电压的采集可以分压之后直接ADC采集,但我建议加上一级有源RC滤波后再用ADC采集。关于电流的采集可以在低侧(其实高侧也完全可以,不在乎成本的话。。)串联采样电阻再用运放放大得到,另一种可以采用基于霍尔原理的电流传感器。就目前的需求来说低侧串联采样电阻就完全够用。
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正式队员neutdthq
2019-1-25 19:16:21 显示全部楼层
1、  降压:这一部分可以采用一些降压恒流恒压模块,某宝上很多,很多都可以设置输出电压、电流,稍微改动一下就可以用stm32实现闭环。另外肝比较健壮的也可以自己设计这一部分电路,可以大幅提高整个超级电容模块的集成度。采用降压模块的目的是为了限制给电容的充电功率。
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正式队员neutdthq
2019-1-25 19:17:47 显示全部楼层
3、        功率二极管:可以采用大功率二极管,但一般都有0.6V到0.7V的导通压降,会产生不小的导通损耗。。。白白浪费功率。。因此可以换成用低导通内阻的NMOS来设计理想二极管以此来减小由于导通内阻造成的传导损耗。。但这么做也会造成新的功率损失,当降压电路限制电容的充电功率时,会造成充当理想二极管的NMOS频繁开关,因此会引入开关损耗,一方面取决于你的Mos驱动能力,另一方面取决于你的MOS门极寄生电容的大小,这两个因素决定了你的mos上升沿和下降沿的陡峭程度,决定了你的mos有多长时间工作在放大状态产生开关损耗。。。至于哪种方案损耗小,我没有具体测试过,留给各位大牛自己去寻找答案。。。
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正式队员neutdthq
2019-1-25 19:18:19 显示全部楼层
4、  升压:同上,可以购买具有恒压功能的升压模块,肾好技术也好的大佬也可以自己设计,全功能集成,想想都觉得美丽。。。。
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正式队员neutdthq
2019-1-25 19:19:19 显示全部楼层
1、  功率路径的管理:需要解决两个问题,一个是电压高的电源不会给低压电源倒灌,另一个是我可以控制此时由哪个电源供给底盘。常见的方案有两种,但不仅限于此。
a)      每路电源串连二极管Diode ORing。通过功率二极管来实现功率路径的切换,如下图所示:(对应上文提到的被动式Powerpath管理)
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