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标题: 【求助帖】关于mosfet的datasheet中SOA的描述 [打印本页]

作者: 火星探索 时间: 2019-3-18 23:59
标题: 【求助帖】关于mosfet的datasheet中SOA的描述
[attach]22253[/attach]这个图片来自2018赛季港科开源的超级电容方案中Nmos（IPT020N10N3）的datasheet。
请问一下大佬们：在两个红线（大约是24V）的交点处代表的是不是该型号的mos运行通过的DC直流电流，如果是的话，为什么这么小，连5A都没有达到？这在切换电池超级电容的时候，数据远远达不到要求吧。（按24V算，5A才120W，超级电容用120W放电是不是有点不够，即使够，留的余量也很少啊）

以上的分析全部建立在个人的理解上，不知道理解是否有错误，希望大佬指教。

作者: 火星探索 时间: 2019-3-19 10:43
@robomaster

作者: 火星探索 时间: 2019-3-19 16:10
有人吗

作者: robomaster 时间: 2019-3-19 20:37
正常我们都只关注Vds、Rds、Id等参数，SOA这个是对应不同的单脉冲情况下的测试结果；由于单脉冲冲击下，晶圆散热不快，此时对应的MOS管热阻跟我们正常使用的是不一样，这个图的意思就是在这种热阻条件下，晶圆不损坏的最大持续时间，这个图主要是单脉冲，也就是在Idm条件下（非重复脉冲），重复脉冲条件就不是看这个图，因为重复脉冲对应的MOS管热阻就是手册上标注的Rj，此时对应的最大Id就是手册上最开始写的漏极电流，也就是图中最上面100A的横线
你可以看一下：
http://news.21dianyuan.com/detail/29426.html
https://www.analog.com/cn/techni ... -swap-circuits.html

作者: 火星探索 时间: 2019-3-19 20:40

robomaster 发表于 2019-3-19 20:37
正常我们都只关注Vds、Rds、Id等参数，SOA这个是对应不同的单脉冲情况下的测试结果；由于单脉冲冲击下，晶 ...

谢谢大哥收获颇丰！！！

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