「2019」「RM圆桌」第四期 超级电容哪家强？

1、  降压：这一部分可以采用一些降压恒流恒压模块，某宝上很多，很多都可以设置输出电压、电流，稍微改动一下就可以用stm32实现闭环。另外肝比较健壮的也可以自己设计这一部分电路，可以大幅提高整个超级电容模块的集成度。采用降压模块的目的是为了限制给电容的充电功率。

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电流采样是自己做的还是用模块呀

@我是李嘉图  嘉宾会把他想说的说完哈，你的问题，我已经记下来。 他一会会回答哦！

好的，谢谢分队长

3、        功率二极管：可以采用大功率二极管，但一般都有0.6V到0.7V的导通压降，会产生不小的导通损耗。。。白白浪费功率。。因此可以换成用低导通内阻的NMOS来设计理想二极管以此来减小由于导通内阻造成的传导损耗。。但这么做也会造成新的功率损失，当降压电路限制电容的充电功率时，会造成充当理想二极管的NMOS频繁开关，因此会引入开关损耗，一方面取决于你的Mos驱动能力，另一方面取决于你的MOS门极寄生电容的大小，这两个因素决定了你的mos上升沿和下降沿的陡峭程度，决定了你的mos有多长时间工作在放大状态产生开关损耗。。。至于哪种方案损耗小，我没有具体测试过，留给各位大牛自己去寻找答案。。。

大佬先继续，支持支持

分队长，，，，，，

4、  升压：同上，可以购买具有恒压功能的升压模块，肾好技术也好的大佬也可以自己设计，全功能集成，想想都觉得美丽。。。。

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哈哈哈哈  可以  这个名字可以

1、  功率路径的管理：需要解决两个问题，一个是电压高的电源不会给低压电源倒灌，另一个是我可以控制此时由哪个电源供给底盘。常见的方案有两种，但不仅限于此。

a)      每路电源串连二极管Diode ORing。通过功率二极管来实现功率路径的切换，如下图所示：（对应上文提到的被动式Powerpath管理）

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