「2019」「RM圆桌」第四期 超级电容哪家强？

另外还一些体积小，价格贵的超级电容，贫穷的我们并没有尝试过，有钱的大佬请自行安排。。。

BQ24640  这款IC可以考虑

图大家去帖子里看，接下来我们说说MOS的选择

图可以回原贴查看哈！

您好，想问您两个问题：
1.我们计划用恒流源给电容充电，以达到控制功率的目的，请问有没有好的恒流源方案？
2.超级电容容量怎么选取？

1、  Mos的选型(后半部分来自网络，大家适当参考。。。)：

对于Powerpath上使用的Mos，它作为开关使用，这个开关实际上始终处于导通状态，MOS管只相当于一个导体。因此设计人员最关心的是最小传导损耗。一般而言，MOS管制造商采用RDS(ON) 参数来定义导通阻抗;对ORing FET（和我们的作用稍微不同）应用来说，RDS(ON) 也是最重要的器件特性。数据手册定义RDS(ON) 与栅极 (或驱动) 电压 VGS 以及流经开关的电流有关，但对于充分的栅极驱动，RDS(ON) 是一个相对静态参数。一般来说，一个低RDS(ON) 值的MOS管，具备大额定电流。

500F。。。有点大了吧

@YSU木糖醇  你的问题 我记下来  一会会有回答~

开关电源中的MOS管：从定义上而言，这种应用需要MOS管定期导通和关断。同时，有数十种拓扑可用于开关电源，这里考虑一个简单的例子。DC-DC电源中常用的基本降压转换器依赖两个MOS管来执行开关功能(图2)，这些开关交替在电感里存储能量，然后把能量释放给负载。目前，设计人员常常选择数百kHz乃至1 MHz以上的频率，因为频率越高，磁性元件可以更小更轻。

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开关器件长期工作于高电压大电流状态，承受着很大的功耗，一但过压或过流就会导致功耗大增，晶圆结温急剧上升，如果散热不及时，就会导致器件损坏，甚至可能会伴随爆炸，非常危险。
这里就衍生一个概念，安全工作区。安全工作区(SOA)曲线，该曲线同时描述了漏极电流和漏源电压的关系。基本上，SOA定义了MOSFET能够安全工作的电源电压和电流。