「2019」「RM圆桌」第四期 超级电容哪家强？

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您好，想问您两个问题：
1.我们计划用恒流源给电容充电，以达到控制功率的目的，请问有没有好的恒流源方案？
2.超级电容容量怎么选取？

关于之前大佬提到的，电流取样方法，我们稍微尝试了一下低电位下串联电阻取样的方法。取样的回路是，单MOS驱动的BUCK降压电路给电容充电，取样时也经过了一级低通滤波，MOS驱动频率为80KHz。但是，由示波器测出来的波形里面，杂波很多，仅仅把取样的地线延长了10cm，波形就完全不一样了。分析杂波来源，我们认为应该来源于电感和MOS，因为驱动频率为80K的高频，地的走线问题也会导致杂波增多。（MOS开关频率降的话，滤波电感体积就不好控制了）由此我们认为，直接串联电阻，对BUCK进行电流采样是不可取的，建议考虑一下其他的电流取样方案，比如霍尔电流传感器。
补充：实验的取样电阻为0.1Ω，5W，低通滤波为5.1kΩ+68nF

neutdthq 发表于 2019-1-26 10:13
你对采样电阻得到的电压进行过放大吗？

并没有进行放大。按照0.1Ω，每100mV为1A电流来测量电流。不过100mV确实有些小，STM32自己的ADC采样波动都有几十mV这样。
杂波来源确定了，应该是来源于MOS，因为没做好信号屏蔽和杂波去偶，在开关的时候产生了很严重的振铃效应。这样看来串联电阻采样还是可行的。不过串联电阻电流采样还存在功耗过大的问题，并且取样电阻如果不放在低电位，不好对它的电平进行采样，综合来看串联电阻进行电流采样的方案缺点有点多。