「2019」「RM圆桌」第四期 超级电容哪家强？

b)       每路电源串联背对背NMOS开关，如图所示：（对应上文提到的主动式Powerpath管理）

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接下来我们讲讲电容的选型

1、  电容组的选择：电容选择时要注意几点，电容的容量、耐压、内阻。市面上大部分超级电容都为2.7V XXXF的，可以自己购买单个电容来针对机器人的机械安装设计电容组PCB，但需要注意一定要设计过充保护。以防出现事故。。。

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另外还一些体积小，价格贵的超级电容，贫穷的我们并没有尝试过，有钱的大佬请自行安排。。。

图大家去帖子里看，接下来我们说说MOS的选择

1、  Mos的选型(后半部分来自网络，大家适当参考。。。)：

对于Powerpath上使用的Mos，它作为开关使用，这个开关实际上始终处于导通状态，MOS管只相当于一个导体。因此设计人员最关心的是最小传导损耗。一般而言，MOS管制造商采用RDS(ON) 参数来定义导通阻抗;对ORing FET（和我们的作用稍微不同）应用来说，RDS(ON) 也是最重要的器件特性。数据手册定义RDS(ON) 与栅极 (或驱动) 电压 VGS 以及流经开关的电流有关，但对于充分的栅极驱动，RDS(ON) 是一个相对静态参数。一般来说，一个低RDS(ON) 值的MOS管，具备大额定电流。

开关电源中的MOS管：从定义上而言，这种应用需要MOS管定期导通和关断。同时，有数十种拓扑可用于开关电源，这里考虑一个简单的例子。DC-DC电源中常用的基本降压转换器依赖两个MOS管来执行开关功能(图2)，这些开关交替在电感里存储能量，然后把能量释放给负载。目前，设计人员常常选择数百kHz乃至1 MHz以上的频率，因为频率越高，磁性元件可以更小更轻。

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开关器件长期工作于高电压大电流状态，承受着很大的功耗，一但过压或过流就会导致功耗大增，晶圆结温急剧上升，如果散热不及时，就会导致器件损坏，甚至可能会伴随爆炸，非常危险。
这里就衍生一个概念，安全工作区。安全工作区(SOA)曲线，该曲线同时描述了漏极电流和漏源电压的关系。基本上，SOA定义了MOSFET能够安全工作的电源电压和电流。

安全工作区的定义：SOA（Safe operating area）是由一系列（电压，电流）坐标点形成的一个二维区域，开关器件正常工作时的电压和电流都不会超过该区域。简单的讲，只要器件工作在SOA区域内就是安全的，超过这个区域就存在危险。

开关器件的各项参数在数据手册中都会明确标注，这里我们先来解读两个参数：

VDS（Drain-source voltage）：漏源电压标称值，反应的是漏源极能承受的最大的电压值；

IDM（Draincurrent(pulsed)）：漏源最大单脉冲电流（非重复脉冲），反应的是漏源极可承受的单次脉冲电流强。

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