概览

我们今年上场的无线充电模块是V3

对应”无线充V3_低阻优化版.eprj“和“V3_Charger”一套文件

发射端模块本身尺寸5.9*5cm，使用一个80mm直径的14uH无线充电线圈（型号：XKT-L67）

接收端尺寸3.6*3.6cm,最大支持功率120W（12V10A），高度受mmkp82电容限制，使用与发射端同样的线圈

资料

含有原理图和代码

（里面的电感不对！实际使用CDPQ2010NP-5R6M用铜带连接在板上）

(代码实际使用1mΩ采样电阻加上INA240A1，github仓库中的原理图是0.45mΩ+A4）

使用一个矩形铝型材的框摆放在场地上，两端有两个弧形适配车的防撞梁

模块的异物和有效接收端检测使用斩波方式，对谐振波形激励相位进行突变实现斩波，测量谐振腔内有效能量并返回到原边母线

类似反射电压的概念，当使用合法接收端时谐振最强，体现为改变激励相位时反射回母线的能量（电流）最大

依靠检测这个能量判定副边是什么

发射端程序工作时仍在斩波，在效率上带来一定代价，使系统效率降至75%（无斩波时85%，但是静态功率1.6W超标）

开启斩波后，静态功率降至0.8W

本无线充电装置已通过26赛季区域赛检录，并能够上场

无线充使用LCC-S拓扑，发射端有一个电感参与谐振，实测发现这个电感使用金属粉带来的涡流损耗影响要大于使用锰锌铁氧体带来的磁滞损耗，因为电感中流过完整周期的AC电流且电感是谐振腔的一部分，因此选用饱和电流足够大的铁氧体磁芯可达到高效率

所以电感选用Sumida CDPQ2010NP-5R6M-160,在125℃下有13.2A饱和电流（20摄氏度19A）

在常温下足够，若温度过高影响谐振腔参数，则上述斩波检测机制会阻止输出

电容为缩小体积，使用NP0电容

MOS选用低内阻和对板热阻的IRF7480,降低MOS上的温度

缺点是此管Qg较大，达123nC

为节省体积，STM32C0 MCU通过一路LDO直接从24V电源取电，可能降低效率

MCU选用STM32C0，C0的定时器可以发生非对称PWM，便于调节两侧半桥相位差

线圈为了防止铁氧体易碎被撞碎，使用无隔磁片线圈

接收端使用DK5V85R15V同步整流（理想二极管）减小损耗

母线电容建议使用原设计参数及以上的电容，有条件贴1206，因为斩波检测原理会向母线回馈电流造成大纹波，会使某些标称25V耐压的不良0805电容失效！！

上场版本母线总电容是94uF(母线70uF=7个10ufMLCC,RY8401 一个22ufMLCC, SY6345 一个2.2uFMLCC）

白色指示灯由发射端PCB的烧录口VCC GND引出，串联一个12KΩ电阻后粘贴在上盖里

电感安装方式: