27、 在进行用剩余功率进行充电的方案中,在优化过开关损耗和导通损耗后,在电容组低电压时D、S极间压差较大,Mos管发热严重,请问是否有什么建议的解决方案?
请问你的MOS是用来做PowerPath切换的还是工作在开关状态下用来做DC-DC变换的mos?如果是前者的话,我觉得减小mos的导通内阻(确定你的栅极电压能够让MOS完全开通),后者的话,看你的栅极波形,观察上升沿和下降沿时间,是不是死区时间不够,存在上下桥臂都开通(不完全关断)的状态,提升MOS驱动能力。至于你说的DS压差较大并不会造成发热,应该是其他原因。
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