| | CDA-CXP | HCCCAP | ETN-TV |
| 起始电压 V | 18.455 | 19.741 | 19.956 |
| 终止电压 V | 0.6 | 0.718 | 0.6 |
| 持续时间 S | 67.832 | 107.872 | 72.160 |
| 释放能量 J | 1292.54 | 2206.95 | 1483.32 |
| 额定能量 J | 1890 | 1890 | 1890 |
| 额定容量误差 % | -31.61 | +16.77 | -21.52 |
释放能量计算公式：(Vs+Ve)*t*I/2 从这个表格中可以看出，似乎CDA和ETN有重大的“虚标“嫌疑？但是请不要忘了，这两个品牌的超级电容是通过淘宝购买的，存在拆机或者赝品的可能。而HCCCAP似乎诚意很足，出厂就给了+20%的容量冗余，这可能是他在测试中优异表现的原因。
以此测出的容量对前面的能量利用率重新进行计算，得出的表格如下：
| | CDA-CXP | HCCCAP | ETN-TV |
| 实测能量 | 1292.54 | 2206.95 | 1483.32 |
| 200W能量利用率% | 62.28 | 48.28 | 75.61 |
| 100W能量利用率% | 86.22 | 74.27 | 92.5 |
如果通过实际释放能量与实测能量的比值来看的话，似乎ETN-TV的表现才是最好的那个，HCCCAP也落到了末位。 我觉得，如果采用我的7串3V60F方案，我肯定推荐HCCCAP。一：从立创商城购买，是正规渠道，而且现在（2024年4月16日）的价格是9.5/个，太便宜了；二：从测试结果来看，HCCCAP的电容组给足了容量，甚至”反向虚标“（当然这在他的误差范围内），有更多的出厂能量使用，何乐而不为？
tips：已经梭哈了35个（5组）用于今后比赛。对抗赛区域赛之后会追加测试电容损耗。
至于其他两个，”出厂“容量误差超过手册标注容量，那么大概就说明这是拆机品或者赝品了（淘宝洋垃圾购物有风险），但是从比例来看，他们的数据也不俗，就是实测容量低于标称值，导致他初始容量就比HCCCAP少，所以表现会比HCCCAP差。（或许如果是正规渠道，就可以避免这个问题？）
1、超级电容组放电截至电压建议为额定电压的30%左右，放电功率（电流）越大，截止电压就应该越高。就算是30%截止电压，7串3V电容组理论可用能量也有88.89%，而10串2.7V电容组理论可用能量为91%。
2、200W放电，在7V的截止电压的临界条件下，放电电流为28.6A，远超裁判系统电容管理模块15A的额定电流，就是100W放电，在7V下才会低于15A，如果考虑电容管理模块的安全，我觉得最好把最大电容电流控制在20A（不过如此大的电流的情况下，持续时间也就1~2S，似乎不至于损坏裁判系统？）
3、由测试数据可得，200W放电情况下，7V以下电容组会无法以此功率继续输出，100W情况下则为4V。假如低于此电压继续使用，则需要处理输出功率衰减带来的问题，需要额外写代码（麻烦死了，不用算了）。
4、超级电容理论寿命都是从额定电压到1/2额定电压作为一个循环，在50万次循环之后可以保持初始容量的70%以上，初始内阻的200%以下。假若把循环电压下降到30%来使用，认为他会使寿命大幅衰减，我觉得应该有10万次循环会衰减到初始容量的70%以上，初始内阻的200%以下。（无测试条件，图一乐）
5、给超级电容组增加温度监控（或者加散热？），我测试200W放电时，电容组的损耗导致的电容组温度提升，已经可以通过手指感受出来了，大概有10°C甚至更高（这还只是表面温度）。超级电容普遍耐温为-40°C~65°C，超温使用会折寿。
问：额定电压不是3V*7=21V吗，怎么测试才用20V？
答：BW6013芯片保护泄放电压为2.95V，2.95V*7=2.65V，为了避免因电源，或者超级电容控制板采样精度误差引起的过充，所以我觉得20V是个比较可靠的电压。另一方面原因是，电池在低电量的时候，由于线损，DCDC占空比等因素，其提供给电容的电压甚至会比20V更低。
问：为什么采用7串3V的电容组，我看主流都是10串2.7V
答：超级电容控制板拓扑决定我的电容组无法超过电池电压，所以我尽可能靠近其最低电压，同时为了体积考虑，我选择使用7串，如果是2.7V，那他电压只有18.9V，有点太低了。
问：不是说初始电压20V吗，怎么放电的起始电压低了几V？
答：超级电容两端的电压为电容组对外电路供电的电压，外部电路阻抗越大（开路），此电压就越接近电容组真实电压值，当外部电路接入负载时，外部电路的阻抗会随着其需求电流的增大而减小（r=u/i)，所以当电子负载以200W功率需求接入电容组时，其阻抗约为20V/10A=1Ω，由于电容组存在内阻，此内阻也会有10A电流流过，产生压降。接入负载瞬间电容组电压的跌落可近似认为电容内阻的损耗（还会有线损），从而计算出电容内阻。
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