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下士neutdthq
2019-1-25 19:23:26 显示全部楼层
另外还一些体积小,价格贵的超级电容,贫穷的我们并没有尝试过,有钱的大佬请自行安排。。。

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版主火星探索
2019-1-25 19:23:56 显示全部楼层
BQ24640  这款IC可以考虑

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下士neutdthq
2019-1-25 19:24:11 显示全部楼层
图大家去帖子里看,接下来我们说说MOS的选择

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版主快拆小分队
2019-1-25 19:24:18 显示全部楼层
图可以回原贴查看哈!

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中士YSU木糖醇
2019-1-25 19:24:21 显示全部楼层
您好,想问您两个问题:
1.我们计划用恒流源给电容充电,以达到控制功率的目的,请问有没有好的恒流源方案?
2.超级电容容量怎么选取?

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下士neutdthq
2019-1-25 19:24:26 显示全部楼层
1、  Mos的选型(后半部分来自网络,大家适当参考。。。):
对于Powerpath上使用的Mos,它作为开关使用,这个开关实际上始终处于导通状态,MOS管只相当于一个导体。因此设计人员最关心的是最小传导损耗。一般而言,MOS管制造商采用RDS(ON) 参数来定义导通阻抗;对ORing FET(和我们的作用稍微不同)应用来说,RDS(ON) 也是最重要的器件特性。数据手册定义RDS(ON) 与栅极 (或驱动) 电压 VGS 以及流经开关的电流有关,但对于充分的栅极驱动,RDS(ON) 是一个相对静态参数。一般来说,一个低RDS(ON) 值的MOS管,具备大额定电流。

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中士我是李嘉图
2019-1-25 19:24:36 显示全部楼层
500F。。。有点大了吧

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版主快拆小分队
2019-1-25 19:24:56 显示全部楼层
@YSU木糖醇  你的问题 我记下来  一会会有回答~

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下士neutdthq
2019-1-25 19:25:12 显示全部楼层
开关电源中的MOS管:从定义上而言,这种应用需要MOS管定期导通和关断。同时,有数十种拓扑可用于开关电源,这里考虑一个简单的例子。DC-DC电源中常用的基本降压转换器依赖两个MOS管来执行开关功能(图2),这些开关交替在电感里存储能量,然后把能量释放给负载。目前,设计人员常常选择数百kHz乃至1 MHz以上的频率,因为频率越高,磁性元件可以更小更轻。
Mos选型DC-DC拓扑图.jpg
一般来说,可以采用一个综合品质因数(栅极电荷QG ×导通阻抗RDS(ON))来评估MOS管或对之进行等级划分。栅极电荷和导通阻抗之所以重要,是因为二者都对电源的效率有直接的影响。对效率有影响的损耗主要分为两种形式--传导损耗和开关损耗。

栅极电荷是产生开关损耗的主要原因。栅极电荷单位为纳库仑(nc),是MOS管栅极充电放电所需的能量。栅极电荷和导通阻抗RDS(ON) 在半导体设计和制造工艺中相互关联,一般来说,器件的栅极电荷值较低,其导通阻抗参数就稍高。开关电源中第二重要的MOS管参数包括输出电容、阈值电压、栅极阻抗和雪崩能量。

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下士neutdthq
2019-1-25 19:25:56 显示全部楼层
开关器件长期工作于高电压大电流状态,承受着很大的功耗,一但过压或过流就会导致功耗大增,晶圆结温急剧上升,如果散热不及时,就会导致器件损坏,甚至可能会伴随爆炸,非常危险。
这里就衍生一个概念,安全工作区。安全工作区(SOA)曲线,该曲线同时描述了漏极电流和漏源电压的关系。基本上,SOA定义了MOSFET能够安全工作的电源电压和电流。
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